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> THz量子级联激光器的材料生长和器件制作
THz量子级联激光器的材料生长和器件制作
THz量子级联激光器的材料生长和器件制作
资料类型:
PDF文件
关键词:
太赫兹
量子级联激光器
分子束外延
资料大小:
291K
所属学科:
分子表征
来源:
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
采用分子束外延的方法,生长了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构,并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9~150K的范围内,测量了器件的I-V曲线。
作者:
韩英军,黎 华,谭智勇,曹俊诚
上传时间:
2008-09-11 15:35:30
下载次数:
27
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